Միկրոէլեկտրոնիկա և կիսահաղորդչային արտադրություն և արտադրություն

Մեր նանոարտադրության, միկրոարտադրության և մեզոարտադրության տեխնիկաներից և գործընթացներից շատերը, որոնք բացատրվում են այլ ընտրացանկերի ներքո, կարող են օգտագործվել MICROELECTRONICS MANUFACTURING_cc751905-3194-bb3b. Այնուամենայնիվ, հաշվի առնելով մեր արտադրանքներում միկրոէլեկտրոնիկայի կարևորությունը, մենք կկենտրոնանանք այս գործընթացների թեմայի հատուկ կիրառությունների վրա: Միկրոէլեկտրոնիկայի հետ կապված գործընթացները նաև լայնորեն կոչվում են SEMICONDUCTOR FABRICATION գործընթացներ: Մեր կիսահաղորդչային ինժեներական նախագծման և արտադրության ծառայությունները ներառում են.

 

 

 

- FPGA տախտակի նախագծում, մշակում և ծրագրավորում

 

- Microelectronics ձուլման ծառայություններ. նախագծում, նախատիպավորում և արտադրություն, երրորդ կողմի ծառայություններ

 

- Կիսահաղորդչային վաֆլի պատրաստում. խորանարդի կտրում, մանրացում, բարակում, ցանցաթաղանթի տեղադրում, ձողերի տեսակավորում, հավաքում և տեղադրում, ստուգում

 

- Միկրոէլեկտրոնային փաթեթի նախագծում և պատրաստում. և՛ վաճառասեղանից, և՛ հատուկ ձևավորում և արտադրություն

 

- Կիսահաղորդչային IC-ի հավաքում և փաթեթավորում և փորձարկում. մածուկ, մետաղալարերի և չիպերի միացում, պարփակում, հավաքում, մակնշում և բրենդավորում

 

- Կարևոր շրջանակներ կիսահաղորդչային սարքերի համար.

 

- Միկրոէլեկտրոնիկայի համար ջերմատախտակների նախագծում և արտադրություն. և՛ վաճառասեղանից, և՛ հատուկ ձևավորում և արտադրություն

 

- Sensor & actuator-ի նախագծում և պատրաստում. և՛ ելուստ, և՛ հատուկ ձևավորում և արտադրություն

 

- Օպտոէլեկտրոնային և ֆոտոնիկական սխեմաների նախագծում և արտադրություն

 

 

 

Եկեք ավելի մանրամասն ուսումնասիրենք միկրոէլեկտրոնիկայի և կիսահաղորդիչների արտադրության և փորձարկման տեխնոլոգիաները, որպեսզի կարողանաք ավելի լավ հասկանալ մեր առաջարկած ծառայություններն ու ապրանքները:

 

 

 

FPGA տախտակի ձևավորում և մշակում և ծրագրավորում. Դաշտային ծրագրավորվող դարպասների զանգվածները (FPGA) վերածրագրավորվող սիլիկոնային չիպեր են: Հակառակ պրոցեսորների, որոնք դուք գտնում եք անհատական համակարգիչներում, FPGA-ի ծրագրավորումը վերափոխում է չիպը՝ օգտատիրոջ ֆունկցիոնալությունն իրականացնելու համար, այլ ոչ թե ծրագրային հավելված գործարկելու: Օգտագործելով նախապես կառուցված տրամաբանական բլոկներ և ծրագրավորվող երթուղային ռեսուրսներ, FPGA չիպերը կարող են կազմաձևվել՝ իրականացնելու հարմարեցված ապարատային ֆունկցիոնալությունը՝ առանց հացահատիկի և զոդման երկաթի օգտագործման: Թվային հաշվողական առաջադրանքները կատարվում են ծրագրային ապահովման մեջ և կազմվում են կազմաձևման ֆայլի կամ բիթսթրիմի մեջ, որը պարունակում է տեղեկատվություն այն մասին, թե ինչպես պետք է բաղադրիչները միմյանց միացվեն: FPGA-ները կարող են օգտագործվել ցանկացած տրամաբանական ֆունկցիա իրականացնելու համար, որը կարող է կատարել ASIC-ը, և դրանք լիովին վերակազմավորելի են և կարող են տրվել բոլորովին այլ «անձնավորություն»՝ վերակոմպիլյացիայի ենթարկելով այլ շղթայի կոնֆիգուրացիա: FPGA-ները համատեղում են կիրառական ինտեգրալ սխեմաների (ASIC) և պրոցեսորների վրա հիմնված համակարգերի լավագույն մասերը: Այս առավելությունները ներառում են հետևյալը.

 

 

 

• Ավելի արագ I/O արձագանքման ժամանակներ և մասնագիտացված ֆունկցիոնալություն

 

• Թվային ազդանշանի պրոցեսորների (DSP) հաշվողական հզորության գերազանցում

 

• Արագ նախատիպավորում և ստուգում առանց մաքսային ASIC-ի պատրաստման գործընթացի

 

• Պատվերով ֆունկցիոնալության իրականացում` նվիրված դետերմինիստական սարքաշարի հուսալիությամբ

 

• Դաշտային արդիականացում, որը վերացնում է մաքսային ASIC-ի վերանախագծման և պահպանման ծախսերը

 

 

 

FPGA-ները ապահովում են արագություն և հուսալիություն՝ չպահանջելով մեծ ծավալներ՝ հիմնավորելու անհատական ASIC դիզայնի մեծ նախնական ծախսերը: Վերածրագրավորվող սիլիկոնն ունի նաև պրոցեսորային համակարգերի վրա աշխատող ծրագրային ապահովման նույն ճկունությունը, և այն չի սահմանափակվում հասանելի մշակման միջուկների քանակով: Ի տարբերություն պրոցեսորների, FPGA-ները իսկապես զուգահեռ են իրենց բնույթով, ուստի տարբեր մշակման օպերացիաները չպետք է մրցակցեն նույն ռեսուրսների համար: Յուրաքանչյուր անկախ մշակման խնդիր վերագրված է չիպի հատուկ հատվածին և կարող է ինքնուրույն գործել՝ առանց որևէ այլ տրամաբանական բլոկների ազդեցության: Արդյունքում, հավելվածի մի մասի կատարումը չի ազդում, երբ ավելացվում է ավելի շատ մշակում: Որոշ FPGA-ներ, բացի թվային գործառույթներից, ունեն անալոգային առանձնահատկություններ: Որոշ ընդհանուր անալոգային առանձնահատկություններ են ծրագրավորվող արագությունը և շարժման ուժը յուրաքանչյուր ելքային պինդում, ինչը թույլ է տալիս ինժեներին թույլ տեմպերը սահմանել թեթև բեռնված պտուտակների վրա, որոնք այլապես անընդունելիորեն կզանգահարեն կամ կզանգահարեն, և բարձր արագությամբ ծանրաբեռնված կապումներին ավելի ուժեղ և արագ տեմպեր սահմանի: ալիքներ, որոնք հակառակ դեպքում շատ դանդաղ կաշխատեն: Մեկ այլ համեմատաբար տարածված անալոգային հատկություն է դիֆերենցիալ համեմատիչները մուտքային կապում, որոնք նախատեսված են դիֆերենցիալ ազդանշանային ալիքներին միանալու համար: Որոշ խառը ազդանշանային FPGA-ներ ունեն ինտեգրված ծայրամասային անալոգային-թվային փոխարկիչներ (ADC) և թվային-անալոգային փոխարկիչներ (DAC)՝ անալոգային ազդանշանի պայմանական բլոկներով, որոնք թույլ են տալիս նրանց գործել որպես համակարգ՝ չիպի վրա:

 

 

 

Համառոտ, FPGA չիպերի լավագույն 5 առավելություններն են.

 

1. Լավ կատարում

 

2. Կարճ ժամանակ դեպի շուկա

 

3. Ցածր արժեքը

 

4. Բարձր հուսալիություն

 

5. Երկարաժամկետ սպասարկման հնարավորություն

 

 

 

Լավ կատարողականություն – Զուգահեռ մշակումը տեղավորելու իրենց ունակությամբ FPGA-ներն ունեն ավելի լավ հաշվողական հզորություն, քան թվային ազդանշանի պրոցեսորները (DSP) և չեն պահանջում հաջորդական կատարում որպես DSP և կարող են ավելին իրականացնել մեկ ժամացույցի ցիկլում: Սարքավորումների մակարդակով մուտքերի և ելքերի (I/O) վերահսկումն ապահովում է ավելի արագ արձագանքման ժամանակներ և մասնագիտացված ֆունկցիոնալություն՝ կիրառման պահանջներին սերտորեն համապատասխանելու համար:

 

 

 

Շուկայի համար կարճ ժամանակ. FPGA-ներն առաջարկում են ճկունություն և արագ նախատիպային հնարավորություններ և, հետևաբար, շուկա դուրս գալու ավելի կարճ ժամանակ: Մեր հաճախորդները կարող են փորձարկել գաղափարը կամ հայեցակարգը և ստուգել այն ապարատային մեջ՝ չանցնելով հատուկ ASIC դիզայնի երկար ու թանկ ստեղծման գործընթացը: Մենք կարող ենք կատարել աստիճանական փոփոխություններ և կրկնել FPGA դիզայնը շաբաթների փոխարեն ժամերի ընթացքում: Առևտրային սարքավորումները հասանելի են նաև տարբեր տեսակի I/O-ներով, որոնք արդեն միացված են օգտագործողի կողմից ծրագրավորվող FPGA չիպին: Բարձր մակարդակի ծրագրային գործիքների աճող հասանելիությունն առաջարկում է արժեքավոր IP միջուկներ (նախապես ներկառուցված գործառույթներ) առաջադեմ կառավարման և ազդանշանի մշակման համար:

 

 

 

Ցածր ծախսեր – ASIC-ի նախագծման ոչ կրկնվող ինժեներական (NRE) ծախսերը գերազանցում են FPGA-ի վրա հիմնված ապարատային լուծումների ծախսերը: ASIC-ներում մեծ նախնական ներդրումները կարող են արդարացված լինել OEM-ների համար, որոնք տարեկան շատ չիպեր են արտադրում, սակայն շատ վերջնական օգտագործողներ կարիք ունեն հատուկ ապարատային ֆունկցիոնալության՝ մշակվող բազմաթիվ համակարգերի համար: Մեր ծրագրավորվող սիլիկոնային FPGA-ն առաջարկում է ձեզ մի բան՝ առանց պատրաստման ծախսերի կամ հավաքման երկար ժամկետների: Համակարգի պահանջները հաճախ փոխվում են ժամանակի ընթացքում, և FPGA-ի նախագծերում հավելյալ փոփոխությունների կատարման արժեքը աննշան է, երբ համեմատվում է ASIC-ի վերամշակման մեծ ծախսերի հետ:

 

 

 

Բարձր հուսալիություն - Ծրագրային գործիքներն ապահովում են ծրագրավորման միջավայրը, իսկ FPGA սխեմաները ծրագրի կատարման իրական իրականացում են: Պրոցեսորների վրա հիմնված համակարգերը սովորաբար ներառում են աբստրակցիայի մի քանի շերտեր՝ օգնելու առաջադրանքների պլանավորմանը և ռեսուրսների փոխանակմանը բազմաթիվ գործընթացների միջև: Վարորդի շերտը վերահսկում է ապարատային ռեսուրսները, իսկ ՕՀ-ն կառավարում է հիշողությունը և պրոցեսորի թողունակությունը: Ցանկացած տվյալ պրոցեսորի միջուկի համար միաժամանակ կարող է իրականացվել միայն մեկ հրահանգ, և պրոցեսորի վրա հիմնված համակարգերը մշտապես վտանգի տակ են, որ ժամանակի համար կարևոր առաջադրանքները կանխեն միմյանց: FPGA-ները, չեն օգտագործում ՕՀ-ներ, ներկայացնում են նվազագույն հուսալիության մտահոգություններ իրենց իրական զուգահեռ կատարմամբ և յուրաքանչյուր առաջադրանքին նվիրված դետերմինիստական ապարատով:

 

 

 

Երկարաժամկետ սպասարկման հնարավորություն - FPGA չիպերը կարող են արդիականացվել դաշտում և չեն պահանջում ASIC-ի վերանախագծման հետ կապված ժամանակ և ծախս: Թվային հաղորդակցության արձանագրությունները, օրինակ, ունեն առանձնահատկություններ, որոնք կարող են փոխվել ժամանակի ընթացքում, և ASIC-ի վրա հիմնված ինտերֆեյսները կարող են առաջացնել սպասարկման և հետագա համատեղելիության հետ կապված խնդիրներ: Ընդհակառակը, վերակազմավորվող FPGA չիպերը կարող են հետևել ապագա հնարավոր փոփոխություններին: Քանի որ ապրանքներն ու համակարգերը հասունանում են, մեր հաճախորդները կարող են կատարել ֆունկցիոնալ բարելավումներ՝ առանց ժամանակ ծախսելու սարքավորումների վերանախագծման և տախտակի դասավորությունները փոփոխելու վրա:

 

 

 

Միկրոէլեկտրոնիկայի ձուլման ծառայություններ. մեր միկրոէլեկտրոնիկայի ձուլման ծառայությունները ներառում են նախագծում, նախատիպավորում և արտադրություն, երրորդ կողմի ծառայություններ: Մենք մեր հաճախորդներին օգնություն ենք տրամադրում արտադրանքի մշակման ողջ ցիկլի ընթացքում՝ դիզայնի աջակցությունից մինչև կիսահաղորդչային չիպերի նախատիպավորում և արտադրություն: Դիզայնի աջակցության ծառայությունների մեր նպատակն է առաջին անգամ ճիշտ մոտեցում ցուցաբերել կիսահաղորդչային սարքերի թվային, անալոգային և խառը ազդանշանային նախագծման համար: Օրինակ, մատչելի են MEMS հատուկ մոդելավորման գործիքներ: Գործարանները, որոնք կարող են մշակել 6 և 8 դյույմանոց վաֆլիներ ինտեգրված CMOS-ի և MEMS-ի համար, ձեր ծառայության մեջ են: Մենք առաջարկում ենք մեր հաճախորդներին նախագծային աջակցություն բոլոր հիմնական էլեկտրոնային դիզայնի ավտոմատացման (EDA) հարթակների համար՝ տրամադրելով ճիշտ մոդելներ, գործընթացների նախագծման փաթեթներ (PDK), անալոգային և թվային գրադարաններ և արտադրական դիզայնի (DFM) աջակցություն: Մենք առաջարկում ենք նախատիպի երկու տարբերակ բոլոր տեխնոլոգիաների համար՝ Multi Product Wafer (MPW) ծառայություն, որտեղ մի քանի սարքեր մշակվում են զուգահեռ մեկ վաֆլի վրա, և Multi Level Mask (MLM) ծառայությունը դիմակի չորս մակարդակով, որը գծված է նույն ցանցի վրա: Սրանք ավելի խնայող են, քան դիմակների ամբողջական հավաքածուն: MLM ծառայությունը շատ ճկուն է՝ համեմատած MPW ծառայության ֆիքսված ամսաթվերի հետ: Ընկերությունները կարող են գերադասել կիսահաղորդչային արտադրանքի աութսորսինգը միկրոէլեկտրոնիկայի ձուլարանից մի շարք պատճառներով, ներառյալ երկրորդ աղբյուրի անհրաժեշտությունը, այլ ապրանքների և ծառայությունների համար ներքին ռեսուրսների օգտագործումը, պատրաստակամություն անելու և նվազեցնել կիսահաղորդչային գործարանի գործարկման ռիսկն ու բեռը… և այլն: AGS-TECH-ն առաջարկում է միկրոէլեկտրոնիկայի բաց հարթակի արտադրության գործընթացներ, որոնք կարող են կրճատվել վաֆլի փոքր գործարկումների, ինչպես նաև զանգվածային արտադրության համար: Որոշակի հանգամանքներում ձեր գոյություն ունեցող միկրոէլեկտրոնիկայի կամ MEMS-ի պատրաստման գործիքները կամ գործիքների ամբողջական հավաքածուները կարող են փոխանցվել որպես առաքված գործիքներ կամ վաճառված գործիքներ ձեր ֆաբ-ից մեր ֆաբ կայք, կամ ձեր առկա միկրոէլեկտրոնիկայի և MEMS արտադրանքները կարող են վերանախագծվել՝ օգտագործելով բաց հարթակի գործընթացի տեխնոլոգիաները և տեղափոխել գործընթաց, որը հասանելի է մեր ֆաբրիկայում: Սա ավելի արագ և խնայող է, քան հատուկ տեխնոլոգիայի փոխանցումը: Ցանկության դեպքում, այնուամենայնիվ, հաճախորդի միկրոէլեկտրոնիկայի / MEMS-ի արտադրական գործընթացները կարող են փոխանցվել:

 

 

 

Կիսահաղորդչային վաֆլի պատրաստում. Ըստ ցանկության հաճախորդների ցանկության դեպքում վաֆլիները միկրոֆաբրիկացնելուց հետո մենք իրականացնում ենք խորանարդի կտրում, մանրացում, նոսրացում, ցանցի տեղադրում, տեսակավորում, հավաքում և տեղադրում, վաֆլի ստուգման աշխատանքներ: Կիսահաղորդչային վաֆլի մշակումը ներառում է չափագիտություն մշակման տարբեր փուլերի միջև: Օրինակ, բարակ թաղանթով փորձարկման մեթոդները, որոնք հիմնված են էլիպսոմետրիայի կամ ռեֆլեկտաչափության վրա, օգտագործվում են դարպասի օքսիդի հաստությունը, ինչպես նաև ֆոտոդիմացկուն և այլ ծածկույթների հաստությունը, բեկման ինդեքսը և մարման գործակիցը սերտորեն վերահսկելու համար: Մենք օգտագործում ենք կիսահաղորդչային վաֆլի փորձարկման սարքավորում՝ ստուգելու համար, որ վաֆլիները չեն վնասվել նախորդ մշակման քայլերից մինչև փորձարկումը: Ճակատային գործընթացների ավարտից հետո կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնային սարքերը ենթարկվում են մի շարք էլեկտրական փորձարկումների՝ որոշելու, թե արդյոք դրանք ճիշտ են գործում: Մենք վերաբերվում ենք վաֆլի վրա միկրոէլեկտրոնիկայի սարքերի հարաբերակցությանը, որը պատշաճ կերպով աշխատում է որպես «բերք»: Վաֆլի վրա միկրոէլեկտրոնիկայի չիպերի փորձարկումն իրականացվում է էլեկտրոնային փորձարկիչով, որը սեղմում է փոքր զոնդերը կիսահաղորդչային չիպի վրա: Ավտոմատացված մեքենան նշում է յուրաքանչյուր վատ միկրոէլեկտրոնիկայի չիպը մի կաթիլ ներկով: Վաֆլի փորձարկման տվյալները մուտքագրվում են կենտրոնական համակարգչային տվյալների բազա, իսկ կիսահաղորդչային չիպերը դասավորվում են վիրտուալ աղբարկղերի մեջ՝ ըստ կանխորոշված փորձարկման սահմանների: Ստացված ներդաշնակության տվյալները կարող են գծապատկերվել կամ գրանցվել վաֆլի քարտեզի վրա՝ հետևելու արտադրական թերություններին և նշելու վատ չիպերը: Այս քարտեզը կարող է օգտագործվել նաև վաֆլի հավաքման և փաթեթավորման ժամանակ: Վերջնական փորձարկման ժամանակ միկրոէլեկտրոնիկայի չիպերը փաթեթավորումից հետո կրկին փորձարկվում են, քանի որ կապի լարերը կարող են բացակայել, կամ անալոգային աշխատանքը կարող է փոփոխվել փաթեթի կողմից: Կիսահաղորդչային վաֆլի փորձարկումից հետո այն սովորաբար կրճատվում է հաստությամբ՝ նախքան վաֆլի հատումը, այնուհետև բաժանվում է առանձին ձուլվածքների: Այս գործընթացը կոչվում է կիսահաղորդչային վաֆլի կտրում: Մենք օգտագործում ենք միկրոէլեկտրոնիկայի արդյունաբերության համար հատուկ արտադրված ավտոմատ հավաքման և տեղադրման մեքենաներ՝ լավ և վատ կիսահաղորդչային մկանները դասավորելու համար: Փաթեթավորված են միայն լավ, չնշված կիսահաղորդչային չիպերը: Այնուհետև, միկրոէլեկտրոնիկայի պլաստիկ կամ կերամիկական փաթեթավորման գործընթացում մենք տեղադրում ենք կիսահաղորդչային թաղանթը, միացնում ենք գավազանների բարձիկները փաթեթի վրա գտնվող կապումներին և կնքում մածանը: Փոքրիկ ոսկե լարերը օգտագործվում են ավտոմատ մեքենաների միջոցով բարձիկները կապումներին միացնելու համար: Chip scale փաթեթը (CSP) միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթավորման մեկ այլ տեխնոլոգիա է: Պլաստիկ երկակի ներկառուցված փաթեթը (DIP), ինչպես փաթեթների մեծ մասը, մի քանի անգամ ավելի մեծ է, քան ներսում տեղադրված իրական կիսահաղորդչային դիզելը, մինչդեռ CSP չիպերը գրեթե միկրոէլեկտրոնիկայի չափսեր ունեն. և CSP-ը կարող է կառուցվել յուրաքանչյուր ձողի համար, նախքան կիսահաղորդչային վաֆլի կտրելը: Փաթեթավորված միկրոէլեկտրոնիկայի չիպերը կրկին փորձարկվում են՝ համոզվելու համար, որ դրանք փաթեթավորման ընթացքում չեն վնասվել, և որ «die-to-pin» փոխկապակցման գործընթացը ճիշտ է ավարտվել: Լազերների օգնությամբ մենք այնուհետև փորագրում ենք չիպերի անուններն ու համարները փաթեթի վրա:

 

 

 

Միկրոէլեկտրոնային փաթեթների ձևավորում և պատրաստում. Մենք առաջարկում ենք միկրոէլեկտրոնային փաթեթների և՛ վաճառասեղանից, և՛ անհատականացված ձևավորում և արտադրություն: Այս ծառայության շրջանակներում իրականացվում է նաև միկրոէլեկտրոնային փաթեթների մոդելավորում և մոդելավորում։ Մոդելավորումը և սիմուլյացիան ապահովում են փորձերի վիրտուալ ձևավորում (DoE)՝ հասնելու օպտիմալ լուծմանը, այլ ոչ թե փորձարկման փաթեթները դաշտում: Սա նվազեցնում է ծախսերը և արտադրության ժամանակը, հատկապես միկրոէլեկտրոնիկայի ոլորտում նոր արտադրանքի մշակման համար: Այս աշխատանքը նաև մեզ հնարավորություն է տալիս բացատրելու մեր հաճախորդներին, թե ինչպես հավաքումը, հուսալիությունը և փորձարկումը կազդեն իրենց միկրոէլեկտրոնային արտադրանքի վրա: Միկրոէլեկտրոնային փաթեթավորման հիմնական նպատակն է նախագծել էլեկտրոնային համակարգ, որը կբավարարի որոշակի կիրառման պահանջները ողջամիտ գնով: Միկրոէլեկտրոնային համակարգը փոխկապակցելու և տեղակայելու բազմաթիվ տարբերակների պատճառով, տվյալ հավելվածի համար փաթեթավորման տեխնոլոգիայի ընտրությունը փորձագիտական գնահատման կարիք ունի: Միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթների ընտրության չափանիշները կարող են ներառել հետևյալ տեխնոլոգիական դրայվերներից մի քանիսը.

 

- Հաղորդալարելիություն

 

-Բերքատվություն

 

-Արժեքը

 

- Ջերմության ցրման հատկությունները

 

- Էլեկտրամագնիսական պաշտպանություն

 

- Մեխանիկական ամրություն

 

-Հուսալիություն

 

Միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթների նախագծման այս նկատառումները ազդում են արագության, ֆունկցիոնալության, հանգույցի ջերմաստիճանի, ծավալի, քաշի և այլնի վրա: Առաջնային նպատակն է ընտրել ամենաարդյունավետ, բայց հուսալի փոխկապակցման տեխնոլոգիան: Միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթներ նախագծելու համար մենք օգտագործում ենք վերլուծության բարդ մեթոդներ և ծրագրեր: Միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթավորումը զբաղվում է փոխկապակցված մանրանկարչական էլեկտրոնային համակարգերի արտադրության մեթոդների նախագծմամբ և այդ համակարգերի հուսալիությամբ: Մասնավորապես, միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթավորումը ներառում է ազդանշանների երթուղում՝ պահպանելով ազդանշանի ամբողջականությունը, կիսահաղորդչային ինտեգրալ սխեմաներին հողի և էներգիայի բաշխում, ցրված ջերմության ցրում՝ պահպանելով կառուցվածքային և նյութական ամբողջականությունը, և պաշտպանելով միացումը շրջակա միջավայրի վտանգներից: Ընդհանուր առմամբ, միկրոէլեկտրոնիկայի IC-ների փաթեթավորման մեթոդները ներառում են PWB-ի օգտագործումը միակցիչներով, որոնք ապահովում են իրական I/O-ները էլեկտրոնային միացումին: Ավանդական միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթավորման մոտեցումները ներառում են առանձին փաթեթների օգտագործում: Մեկ չիպային փաթեթի հիմնական առավելությունը միկրոէլեկտրոնիկայի IC-ն ամբողջությամբ փորձարկելու հնարավորությունն է՝ նախքան այն հիմքում ընկած սուբստրատի հետ միացնելը: Նման փաթեթավորված կիսահաղորդչային սարքերը կա՛մ անցքերով ամրացված են, կա՛մ մակերեսային՝ PWB-ին: Մակերեւույթի վրա տեղադրված միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթները չեն պահանջում անցքեր անցնել ամբողջ տախտակի միջով: Փոխարենը, մակերեսի վրա տեղադրված միկրոէլեկտրոնիկայի բաղադրիչները կարող են զոդվել PWB-ի երկու կողմերին՝ հնարավորություն տալով ավելի մեծ շղթայի խտություն: Այս մոտեցումը կոչվում է մակերեսային տեղադրման տեխնոլոգիա (SMT): Տարածքային զանգվածային փաթեթների ավելացումը, ինչպիսիք են գնդային ցանցային զանգվածները (BGAs) և չիպերի մասշտաբային փաթեթները (CSPs), SMT-ին դարձնում են մրցունակ կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթավորման ամենաբարձր խտության տեխնոլոգիաների հետ: Փաթեթավորման ավելի նոր տեխնոլոգիան ենթադրում է մեկից ավելի կիսահաղորդչային սարքերի ամրացում բարձր խտության փոխկապակցման հիմքի վրա, որն այնուհետև տեղադրվում է մեծ փաթեթի մեջ՝ ապահովելով և՛ I/O կապիչներ, և՛ շրջակա միջավայրի պաշտպանություն: Բազմաչիպային մոդուլի (MCM) տեխնոլոգիան հետագայում բնութագրվում է կցված IC-ների փոխկապակցման համար օգտագործվող ենթաշերտի տեխնոլոգիաներով: MCM-D-ն ներկայացնում է բարակ թաղանթով նստած մետաղ և դիէլեկտրիկ բազմաշերտ: MCM-D ենթաշերտերն ունեն լարերի ամենաբարձր խտությունը բոլոր MCM տեխնոլոգիաներից՝ շնորհիվ բարդ կիսահաղորդչային մշակման տեխնոլոգիաների: MCM-C-ն վերաբերում է բազմաշերտ «կերամիկական» ենթաշերտերին, որոնք այրվում են շերտավորված մետաղական թանաքների և չթրծված կերամիկական թիթեղների իրար հաջորդող շերտերից: Օգտագործելով MCM-C, մենք ստանում ենք չափավոր խիտ լարերի հզորություն: MCM-L-ը վերաբերում է բազմաշերտ ենթաշերտերին, որոնք պատրաստված են կուտակված, մետաղացված PWB «լամինատներից», որոնք առանձին ձևավորված են, իսկ հետո լամինացված: Նախկինում այն ցածր խտության փոխկապակցման տեխնոլոգիա էր, սակայն այժմ MCM-L-ն արագորեն մոտենում է MCM-C և MCM-D միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթավորման տեխնոլոգիաների խտությանը: Միկրոէլեկտրոնիկայի ուղղակի կցման (DCA) կամ չիպի վրա տեղադրված (COB) միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթավորման տեխնոլոգիան ներառում է միկրոէլեկտրոնիկայի IC-ների տեղադրումը անմիջապես PWB-ում: Պլաստիկ ինկապսուլանտը, որը «գլոբբացված» է մերկ IC-ի վրա և այնուհետև բուժվում, ապահովում է շրջակա միջավայրի պաշտպանությունը: Միկրոէլեկտրոնիկայի IC-ները կարող են փոխկապակցվել ենթաշերտին՝ օգտագործելով կա՛մ պտտվող չիպ, կա՛մ մետաղալարով միացման մեթոդներ: DCA տեխնոլոգիան հատկապես խնայող է համակարգերի համար, որոնք սահմանափակված են 10 կամ ավելի քիչ կիսահաղորդչային IC-ներով, քանի որ ավելի մեծ թվով չիպերը կարող են ազդել համակարգի աշխատանքի վրա, իսկ DCA հավաքները կարող են դժվար լինել վերամշակել: Թե՛ DCA, թե՛ MCM փաթեթավորման տարբերակների համար ընդհանուր առավելությունը կիսահաղորդչային IC փաթեթի փոխկապակցման մակարդակի վերացումն է, որը թույլ է տալիս ավելի մոտ լինել (ազդանշանի փոխանցման ավելի կարճ ուշացումներ) և կապարի ինդուկտիվության նվազում: Երկու մեթոդների առաջնային թերությունը լիովին փորձարկված միկրոէլեկտրոնիկայի IC-ների գնման դժվարությունն է: DCA և MCM-L տեխնոլոգիաների մյուս թերությունները ներառում են ջերմային վատ կառավարումը՝ շնորհիվ PWB լամինատների ցածր ջերմահաղորդականության և կիսահաղորդչային թաղանթի և ենթաշերտի միջև ջերմային ընդարձակման վատ գործակցի: Ջերմային ընդարձակման անհամապատասխանության խնդիրը լուծելու համար պահանջվում է ինտերպոզերային հիմք, ինչպիսին է մոլիբդենը մետաղալարով կապակցված ձողի համար և թերլիցքավոր էպոքսիդը՝ մատնահարդարման չիպերի համար: Multichip կրիչի մոդուլը (MCCM) համատեղում է DCA-ի բոլոր դրական կողմերը MCM տեխնոլոգիայի հետ: MCCM-ը պարզապես փոքր MCM է բարակ մետաղական կրիչի վրա, որը կարող է կապվել կամ մեխանիկորեն կցվել PWB-ին: Մետաղական հատակը գործում է և՛ որպես ջերմություն ցրող, և՛ որպես լարման ներդիր MCM սուբստրատի համար: MCCM-ն ունի ծայրամասային լարեր PWB-ին մետաղալարերի միացման, զոդման կամ ներդիրների միացման համար: Մերկ կիսահաղորդչային IC-ները պաշտպանված են՝ օգտագործելով գլոբուսային նյութ: Երբ կապվեք մեզ հետ, մենք կքննարկենք ձեր դիմումը և պահանջները՝ ձեզ համար միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթավորման լավագույն տարբերակը ընտրելու համար:

 

 

 

Կիսահաղորդչային IC հավաքում և փաթեթավորում և փորձարկում. Որպես միկրոէլեկտրոնիկայի արտադրության մեր ծառայությունների մի մաս, մենք առաջարկում ենք ձուլակտորներ, մետաղալարերի և չիպերի միացում, պարկուճավորում, հավաքում, մակնշում և բրենդավորում, փորձարկում: Որպեսզի կիսահաղորդչային չիպը կամ ինտեգրված միկրոէլեկտրոնային շղթան գործի, այն պետք է միացված լինի այն համակարգին, որը նա կվերահսկի կամ հրահանգներ կտա: Միկրոէլեկտրոնիկայի IC հավաքը ապահովում է միացումներ չիպի և համակարգի միջև էներգիայի և տեղեկատվության փոխանցման համար: Սա կատարվում է միկրոէլեկտրոնիկայի չիպը փաթեթին միացնելով կամ այս գործառույթների համար ուղղակիորեն միացնելով PCB-ին: Չիպի և փաթեթի կամ տպագիր տպատախտակի (PCB) միջև կապը տեղի է ունենում մետաղալարերի միացման, անցքի կամ շրջադարձային չիպի հավաքման միջոցով: Մենք արդյունաբերության առաջատարն ենք միկրոէլեկտրոնիկայի IC փաթեթավորման լուծումներ գտնելու հարցում՝ անլար և ինտերնետ շուկաների բարդ պահանջներին բավարարելու համար: Մենք առաջարկում ենք հազարավոր տարբեր փաթեթների ձևաչափեր և չափեր՝ սկսած ավանդական առաջատար շրջանակի միկրոէլեկտրոնիկայի IC փաթեթներից՝ անցքերով և մակերեսային տեղադրման համար, մինչև չիպերի սանդղակի (CSP) և գնդային ցանցերի զանգվածի (BGA) վերջին լուծումները, որոնք պահանջվում են բարձր քորոցների քանակի և բարձր խտության կիրառություններում: . Փաթեթների լայն տեսականի հասանելի է պահեստում, ներառյալ CABGA (Chip Array BGA), CQFP, CTBGA (Chip Array Thin Core BGA), CVBGA (Շատ բարակ չիպերի զանգված BGA), Flip Chip, LCC, LGA, MQFP, PBGA, PDIP, PLCC, PoP - Փաթեթ փաթեթի վրա, PoP TMV - Mold Via-ի միջոցով, SOIC / SOJ, SSOP, TQFP, TSOP, WLP (Վաֆլի մակարդակի փաթեթ)….. և այլն: Պղնձի, արծաթի կամ ոսկու օգտագործմամբ մետաղալարերի միացումը հայտնի է միկրոէլեկտրոնիկայի մեջ: Պղնձե (Cu) մետաղալարը միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթի տերմինալներին սիլիցիումի կիսահաղորդչային մկանները միացնելու մեթոդ է: Ոսկու (Au) մետաղալարերի արժեքի վերջին աճով պղնձե (Cu) մետաղալարը միկրոէլեկտրոնիկայի ընդհանուր փաթեթի արժեքը կառավարելու գրավիչ միջոց է: Այն նաև նման է ոսկե (Au) մետաղալարին՝ իր նմանատիպ էլեկտրական հատկությունների պատճառով: Ինքնաինդուկտիվությունը և ինքնահզորությունը գրեթե նույնն են ոսկու (Au) և պղնձե (Cu) մետաղալարերի դեպքում՝ ավելի ցածր դիմադրողականություն ունեցող պղնձե (Cu) մետաղալարով: Միկրոէլեկտրոնիկայի կիրառություններում, որտեղ կապի հաղորդալարի պատճառով դիմադրությունը կարող է բացասաբար ազդել սխեմայի աշխատանքի վրա, պղնձե (Cu) մետաղալարերի օգտագործումը կարող է բարելավվել: Պղնձի, պալադիումով պատված պղնձի (PCC) և արծաթի (Ag) համաձուլվածքի լարերը հայտնվել են որպես ոսկյա կապի մետաղալարերի այլընտրանք՝ արժեքի պատճառով: Պղնձի վրա հիմնված լարերը էժան են և ունեն ցածր էլեկտրական դիմադրողականություն: Այնուամենայնիվ, պղնձի կարծրությունը դժվարացնում է այն օգտագործել շատ ծրագրերում, ինչպիսիք են փխրուն կապի բարձիկների կառուցվածքները: Այս հավելվածների համար Ag-Alloy-ն առաջարկում է ոսկու նման հատկություններ, մինչդեռ դրա արժեքը նման է PCC-ին: Ag-Alloy մետաղալարն ավելի փափուկ է, քան PCC-ն, ինչը հանգեցնում է Al-Splash-ի նվազմանը և կապի բարձիկի վնասման ավելի ցածր ռիսկին: Ag-Alloy մետաղալարը լավագույն ցածր գնով փոխարինողն է այն ծրագրերի համար, որոնք պահանջում են մեռնել-մեռնելու միացում, ջրվեժի կպչում, չափազանց նուրբ կապի բարձիկի հարթություն և կապի բարձիկների փոքր բացվածքներ, ծայրահեղ ցածր օղակի բարձրություն: Մենք տրամադրում ենք կիսահաղորդիչների փորձարկման ծառայությունների ամբողջական շարք, ներառյալ վաֆլի փորձարկումը, վերջնական թեստավորման տարբեր տեսակներ, համակարգի մակարդակի փորձարկում, շերտի փորձարկում և ամբողջական վերջնական ծառայություններ: Մենք փորձարկում ենք կիսահաղորդչային սարքերի մի շարք տեսակներ մեր փաթեթների բոլոր ընտանիքներում, ներառյալ ռադիոհաճախականությունը, անալոգային և խառը ազդանշանը, թվայինը, էներգիայի կառավարումը, հիշողությունը և տարբեր համակցություններ, ինչպիսիք են ASIC, բազմակի չիպային մոդուլներ, System-in-Package (SiP) և կուտակված 3D փաթեթավորում, սենսորներ և MEMS սարքեր, ինչպիսիք են արագացուցիչները և ճնշման սենսորները: Մեր փորձնական սարքավորումը և կոնտակտային սարքավորումները հարմար են հատուկ փաթեթի չափի SiP-ի, երկկողմանի կոնտակտային լուծումների համար՝ Package on Package (PoP), TMV PoP, FusionQuad վարդակներ, մի քանի շարքով MicroLeadFrame, Fine-Pitch Copper Pillar: Փորձարկման սարքավորումները և փորձարկման հատակները ինտեգրված են CIM/CAM գործիքների, եկամտաբերության վերլուծության և կատարողականի մոնիտորինգի հետ՝ առաջին անգամ շատ բարձր արդյունավետություն ապահովելու համար: Մենք առաջարկում ենք բազմաթիվ հարմարվողական միկրոէլեկտրոնիկայի փորձարկման գործընթացներ մեր հաճախորդների համար և առաջարկում ենք բաշխված փորձնական հոսքեր SiP-ի և այլ բարդ հավաքման հոսքերի համար: AGS-TECH-ը տրամադրում է փորձնական խորհրդատվության, մշակման և ինժեներական ծառայությունների ամբողջական շրջանակ ձեր կիսահաղորդչային և միկրոէլեկտրոնիկայի արտադրանքի ողջ ցիկլում: Մենք հասկանում ենք եզակի շուկաները և փորձարկման պահանջները SiP-ի, ավտոմոբիլային, ցանցային, խաղերի, գրաֆիկայի, հաշվողականության, ՌԴ/անլարի համար: Կիսահաղորդիչների արտադրության գործընթացները պահանջում են արագ և ճշգրիտ վերահսկվող մակնշման լուծումներ: 1000 նիշ/վայրկյանից ավելի արագություններ նշագրելը և 25 մկմ-ից պակաս նյութի ներթափանցման խորությունը տարածված են կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկայի արդյունաբերության մեջ՝ օգտագործելով առաջադեմ լազերներ: Մենք ի վիճակի ենք նշել կաղապարի միացությունները, վաֆլիները, կերամիկաները և ավելին՝ նվազագույն ջերմային ներածումով և կատարյալ կրկնելիությամբ: Մենք օգտագործում ենք լազերներ բարձր ճշգրտությամբ, որպեսզի նշենք նույնիսկ ամենափոքր մասերը առանց վնասելու:

 

 

 

Կիսահաղորդչային սարքերի համար կապարի շրջանակներ. հնարավոր են և՛ առանց դարակաշարերի, և՛ հատուկ ձևավորում և արտադրություն: Կապար շրջանակները օգտագործվում են կիսահաղորդչային սարքերի հավաքման գործընթացներում և, ըստ էության, մետաղի բարակ շերտեր են, որոնք միացնում են էլեկտրալարերը կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկայի մակերեսի փոքր էլեկտրական տերմինալներից էլեկտրական սարքերի և PCB-ների լայնածավալ սխեմաներին: Կապարի շրջանակները օգտագործվում են գրեթե բոլոր կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթներում: Միկրոէլեկտրոնիկայի IC փաթեթների մեծ մասը պատրաստվում է կիսահաղորդչային սիլիցիումային չիպը կապարի շրջանակի վրա դնելով, այնուհետև մետաղալարով չիպը կապելով այդ կապարի շրջանակի մետաղական կապարներին և հետագայում միկրոէլեկտրոնիկայի չիպը ծածկելով պլաստիկ ծածկով: Այս պարզ և համեմատաբար էժան միկրոէլեկտրոնիկայի փաթեթավորումը դեռևս լավագույն լուծումն է բազմաթիվ ծրագրերի համար: Կապարի շրջանակները արտադրվում են երկար շերտերով, ինչը թույլ է տալիս դրանք արագ մշակել ավտոմատ հավաքման մեքենաների վրա, և ընդհանուր առմամբ օգտագործվում է երկու արտադրական գործընթաց՝ ինչ-որ տեսակի լուսանկարների փորագրում և դրոշմում: Միկրոէլեկտրոնիկայի առաջատար շրջանակների նախագծման մեջ հաճախ պահանջվում են հարմարեցված բնութագրեր և առանձնահատկություններ, դիզայներ, որոնք ուժեղացնում են էլեկտրական և ջերմային հատկությունները և որոշակի ցիկլի ժամանակի պահանջներ: Մենք ունենք միկրոէլեկտրոնիկայի առաջատար շրջանակների արտադրության խորը փորձ տարբեր հաճախորդների համար՝ օգտագործելով լազերային օգնությամբ լուսանկարների փորագրում և դրոշմում:

 

 

 

Միկրոէլեկտրոնիկայի համար ջերմային լվացարանների նախագծում և արտադրություն. և՛ վաճառասեղանից, և՛ հատուկ ձևավորում և արտադրություն: Միկրոէլեկտրոնիկայի սարքերից ջերմության արտանետման աճի և ընդհանուր ձևի գործոնների նվազման պայմաններում ջերմային կառավարումը դառնում է էլեկտրոնային արտադրանքի նախագծման ավելի կարևոր տարր: Էլեկտրոնային սարքավորումների կատարողականի հետևողականությունը և կյանքի սպասվող տևողությունը հակադարձորեն կապված են սարքավորման բաղադրիչի ջերմաստիճանի հետ: Տիպիկ սիլիցիումային կիսահաղորդչային սարքի հուսալիության և գործառնական ջերմաստիճանի հարաբերությունը ցույց է տալիս, որ ջերմաստիճանի նվազումը համապատասխանում է սարքի հուսալիության և կյանքի տեւողության էքսպոնենցիալ աճին: Հետևաբար, կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկայի բաղադրիչի երկար կյանքն ու հուսալի կատարումը կարելի է ձեռք բերել՝ արդյունավետորեն վերահսկելով սարքի աշխատանքային ջերմաստիճանը դիզայներների կողմից սահմանված սահմաններում: Ջերմային լվացարանները սարքեր են, որոնք ուժեղացնում են ջերմության տարածումը տաք մակերևույթից, սովորաբար ջերմություն առաջացնող բաղադրիչի արտաքին պատյանից, դեպի ավելի սառը միջավայր, ինչպիսին է օդը: Հետևյալ քննարկումների համար ենթադրվում է, որ օդը սառեցնող հեղուկ է: Շատ իրավիճակներում ջերմության փոխանցումը պինդ մակերևույթի և հովացուցիչ օդի միջև միջերեսի միջով ամենաքիչ արդյունավետությունն է համակարգում, և պինդ օդի միջերեսը ջերմության տարածման ամենամեծ խոչընդոտն է: Ջերմային լվացարանը նվազեցնում է այս արգելքը հիմնականում մեծացնելով մակերեսի մակերեսը, որն անմիջական շփման մեջ է հովացուցիչ նյութի հետ: Սա թույլ է տալիս ավելի շատ ջերմություն տարածել և/կամ իջեցնել կիսահաղորդչային սարքի աշխատանքային ջերմաստիճանը: Ջերմային լվացարանի հիմնական նպատակն է պահպանել միկրոէլեկտրոնիկայի սարքի ջերմաստիճանը կիսահաղորդչային սարքի արտադրողի կողմից սահմանված առավելագույն թույլատրելի ջերմաստիճանից ցածր:

 

 

 

Մենք կարող ենք դասակարգել ջերմային լվացարանները արտադրության մեթոդների և դրանց ձևերի առումով: Օդային հովացվող ջերմատախտակների ամենատարածված տեսակները ներառում են.

 

 

 

- Դրոշմումներ. պղնձի կամ ալյումինե թիթեղների մետաղները դրոշմվում են ցանկալի ձևերով: դրանք օգտագործվում են էլեկտրոնային բաղադրիչների ավանդական օդային սառեցման մեջ և առաջարկում են ցածր խտության ջերմային խնդիրների տնտեսական լուծում: Հարմար են մեծ ծավալի արտադրության համար։

 

 

 

- Էքստրուզիա. Այս ջերմատախտակները թույլ են տալիս ձևավորել մշակված երկչափ ձևեր, որոնք ունակ են ցրելու մեծ ջերմային բեռներ: Նրանք կարող են կտրվել, մշակվել և ավելացվել տարբերակներ: Խաչաձև կտրումը կստեղծի միակողմանի, ուղղանկյուն քորոցային լողաթիթեղների ջերմատախտակներ, և ատամնավոր լողակներ ներառելը բարելավում է աշխատանքը մոտավորապես 10-20%-ով, բայց ավելի դանդաղ արտամղման արագությամբ: Էքստրուզիայի սահմանները, ինչպիսիք են լողակի բարձրությունից մինչև բացվածքի եզրի հաստությունը, սովորաբար թելադրում են դիզայնի տարբերակների ճկունությունը: Տիպիկ լողակների բարձրության և բացվածքի հարաբերակցությունը մինչև 6 և նվազագույն լողակի հաստությունը 1,3 մմ, կարելի է ձեռք բերել արտամղման ստանդարտ տեխնիկայով: 10-ից 1 կողմի հարաբերակցությունը և 0,8 դյույմ թևի հաստությունը կարելի է ձեռք բերել հատուկ ձևավորման առանձնահատկություններով: Այնուամենայնիվ, երբ կողմի հարաբերակցությունը մեծանում է, արտամղման հանդուրժողականությունը վտանգված է:

 

 

 

- Խճճված/շինված լողակներ. օդային հովացվող ջերմատախտակների մեծ մասը կոնվենցիայով սահմանափակված է, և օդով հովացվող ջերմատաքացուցիչի ընդհանուր ջերմային աշխատանքը հաճախ կարող է զգալիորեն բարելավվել, եթե ավելի շատ մակերես կարող է ենթարկվել օդի հոսքին: Այս բարձր արդյունավետությամբ ջերմատախտակները օգտագործում են ջերմահաղորդիչ ալյումինով լցված էպոքսիդ՝ հարթ թևերը միացնելու համար ակոսավոր արտամղման հիմքի ափսեի վրա: Այս գործընթացը թույլ է տալիս շատ ավելի մեծ 20-ից 40 թևերի բարձրության և բացվածքի հարաբերակցությունը, ինչը զգալիորեն մեծացնում է հովացման հզորությունը՝ առանց ծավալի անհրաժեշտության մեծացման:

 

 

 

- Ձուլվածքներ. ավազի, կորած մոմերի և ալյումինի կամ պղնձի/բրոնզի ձուլման գործընթացները հասանելի են վակուումային օժանդակությամբ կամ առանց դրա: Մենք օգտագործում ենք այս տեխնոլոգիան բարձր խտության քորոցային լողավազանների արտադրության համար, որոնք ապահովում են առավելագույն արդյունավետություն բախման հովացման ժամանակ:

 

 

 

- Ծալովի լողակներ. ալյումինից կամ պղնձից ծալքավոր թիթեղը մեծացնում է մակերեսի մակերեսը և ծավալային կատարումը: Այնուհետև ջերմատախտակն ամրացվում է կա՛մ հիմքի ափսեին, կա՛մ ուղղակիորեն ջեռուցման մակերեսին էպոքսիդային կամ բրազման միջոցով: Այն հարմար չէ բարձր պրոֆիլային ջերմատախտակների համար՝ առկայության և լողակների արդյունավետության պատճառով: Հետևաբար, այն թույլ է տալիս արտադրել բարձրորակ ջերմատախտակներ:

 

 

 

Ընտրելով համապատասխան ջերմատախտակ, որը համապատասխանում է ձեր միկրոէլեկտրոնիկայի կիրառման համար պահանջվող ջերմային չափանիշներին, մենք պետք է ուսումնասիրենք տարբեր պարամետրեր, որոնք ազդում են ոչ միայն բուն ջերմատաքացուցիչի, այլև համակարգի ընդհանուր աշխատանքի վրա: Միկրոէլեկտրոնիկայի մեջ ջերմատախտակի որոշակի տեսակի ընտրությունը մեծապես կախված է ջերմատախտակի համար թույլատրված ջերմային բյուջեից և ջերմատախտակի շրջակա արտաքին պայմաններից: Ջերմային դիմադրության մեկ արժեք երբեք չի վերագրվում տվյալ ջերմատաքացուցիչին, քանի որ ջերմային դիմադրությունը տարբերվում է արտաքին հովացման պայմաններից:

 

 

 

Սենսորների և ակտուատորների ձևավորում և պատրաստում. հասանելի են ինչպես վաճառասեղանին, այնպես էլ հատուկ ձևավորումն ու արտադրությունը: Մենք առաջարկում ենք լուծումներ իներցիոն սենսորների, ճնշման և հարաբերական ճնշման տվիչների և IR ջերմաստիճանի տվիչների սարքերի համար պատրաստի օգտագործման գործընթացներով: Օգտագործելով մեր IP բլոկները արագաչափերի, IR և ճնշման սենսորների համար կամ կիրառելով ձեր դիզայնը՝ ըստ առկա բնութագրերի և նախագծման կանոնների, մենք կարող ենք շաբաթների ընթացքում ձեզ տրամադրել MEMS-ի վրա հիմնված սենսորային սարքեր: Բացի MEMS-ից, կարող են արտադրվել այլ տեսակի սենսորների և ակտուատորների կառուցվածքներ:

 

 

 

Օպտոէլեկտրոնային և ֆոտոնային սխեմաների նախագծում և պատրաստում. Ֆոտոնային կամ օպտիկական ինտեգրալ շղթա (PIC) մի սարք է, որն ինտեգրում է բազմաթիվ ֆոտոնային ֆունկցիաներ: Այն կարող է նմանվել միկրոէլեկտրոնիկայի էլեկտրոնային ինտեգրալ սխեմաների: Այս երկուսի միջև հիմնական տարբերությունն այն է, որ ֆոտոնիկ ինտեգրված միացումն ապահովում է տեսանելի սպեկտրի օպտիկական ալիքի երկարությունների վրա կամ մոտ ինֆրակարմիր 850 նմ-1650 նմ տեղեկատվական ազդանշանների գործառույթը: Կառուցման մեթոդները նման են միկրոէլեկտրոնիկայի ինտեգրալ սխեմաներում օգտագործվողներին, որտեղ ֆոտոլիտոգրաֆիան օգտագործվում է փորագրման և նյութի նստեցման համար վաֆլի ձևավորման համար: Ի տարբերություն կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկայի, որտեղ հիմնական սարքը տրանզիստորն է, օպտոէլեկտրոնիկայի մեջ չկա մեկ գերիշխող սարք: Ֆոտոնիկ չիպերը ներառում են ցածր կորստի փոխկապակցման ալիքատարներ, էներգիայի բաժանիչներ, օպտիկական ուժեղացուցիչներ, օպտիկական մոդուլատորներ, ֆիլտրեր, լազերներ և դետեկտորներ: Այս սարքերը պահանջում են տարբեր նյութերի և պատրաստման տեխնիկայի բազմազանություն, և, հետևաբար, դժվար է դրանք իրականացնել մեկ չիպի վրա: Ֆոտոնային ինտեգրալ սխեմաների մեր կիրառությունները հիմնականում օպտիկամանրաթելային կապի, կենսաբժշկական և ֆոտոնային հաշվարկների ոլորտներում են: Օպտոէլեկտրոնային արտադրանքի որոշ օրինակներ, որոնք մենք կարող ենք նախագծել և պատրաստել ձեզ համար, LED-ներ (Լուսարձակող դիոդներ), դիոդային լազերներ, օպտոէլեկտրոնային ընդունիչներ, ֆոտոդիոդներ, լազերային հեռավորության մոդուլներ, հարմարեցված լազերային մոդուլներ և այլն: