ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੇਲ ਮੈਨੂਫੈਕਚਰਿੰਗ / ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ / ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ / MEMS

MICROMANUFACTURING, MICROSCALE MANUFACTURING, MICROFABRICATION or MICROMACHINING refers to our processes suitable for making tiny devices and products in the micron or microns of dimensions. ਕਈ ਵਾਰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਡ ਉਤਪਾਦ ਦੇ ਸਮੁੱਚੇ ਮਾਪ ਵੱਡੇ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਪਰ ਅਸੀਂ ਅਜੇ ਵੀ ਇਸ ਸ਼ਬਦ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਉਹਨਾਂ ਸਿਧਾਂਤਾਂ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦੇਣ ਲਈ ਕਰਦੇ ਹਾਂ ਜੋ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ। ਅਸੀਂ ਹੇਠ ਲਿਖੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ ਦੀਆਂ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਪਹੁੰਚ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਾਂ:

 

 

 

ਮਾਈਕਰੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਯੰਤਰ: ਆਮ ਉਦਾਹਰਨਾਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਚਿਪਸ ਹਨ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਿਧਾਂਤਾਂ 'ਤੇ ਆਧਾਰਿਤ ਕੰਮ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।

 

ਮਾਈਕ੍ਰੋ ਮਕੈਨੀਕਲ ਯੰਤਰ: ਇਹ ਉਹ ਉਤਪਾਦ ਹਨ ਜੋ ਕੁਦਰਤ ਵਿੱਚ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਬਹੁਤ ਛੋਟੇ ਗੇਅਰ ਅਤੇ ਕਬਜੇ।

 

ਮਾਈਕਰੋਇਲੈਕਟਰੋਮੈਕਨੀਕਲ ਡਿਵਾਈਸ: ਅਸੀਂ ਬਹੁਤ ਛੋਟੇ ਲੰਬਾਈ ਦੇ ਪੈਮਾਨਿਆਂ 'ਤੇ ਮਕੈਨੀਕਲ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਤੱਤਾਂ ਨੂੰ ਜੋੜਨ ਲਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਤਕਨੀਕਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਾਂ। ਸਾਡੇ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਸੈਂਸਰ ਇਸ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਵਿੱਚ ਹਨ।

 

ਮਾਈਕ੍ਰੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਕਨੀਕਲ ਸਿਸਟਮ (MEMS): ਇਹ ਮਾਈਕ੍ਰੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਕਨੀਕਲ ਯੰਤਰ ਇੱਕ ਉਤਪਾਦ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਸਿਸਟਮ ਨੂੰ ਵੀ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਇਸ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਵਿੱਚ ਸਾਡੇ ਪ੍ਰਸਿੱਧ ਵਪਾਰਕ ਉਤਪਾਦ MEMS ਐਕਸੀਲੇਰੋਮੀਟਰ, ਏਅਰ-ਬੈਗ ਸੈਂਸਰ ਅਤੇ ਡਿਜੀਟਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮਿਰਰ ਉਪਕਰਣ ਹਨ।

 

 

 

ਬਣਾਏ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਉਤਪਾਦ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਅਸੀਂ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਤਰੀਕਿਆਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕਰਦੇ ਹਾਂ:

 

ਬਲਕ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ: ਇਹ ਇੱਕ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਪੁਰਾਣੀ ਵਿਧੀ ਹੈ ਜੋ ਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਿਲੀਕਾਨ 'ਤੇ ਸਥਿਤੀ-ਨਿਰਭਰ ਐਚਚਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਬਲਕ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਪਹੁੰਚ ਇੱਕ ਸਤਹ ਵਿੱਚ ਐਚਿੰਗ ਕਰਨ, ਅਤੇ ਲੋੜੀਂਦੇ ਢਾਂਚੇ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕੁਝ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਚਿਹਰਿਆਂ, ਡੋਪਡ ਖੇਤਰਾਂ ਅਤੇ ਐਚੇਬਲ ਫਿਲਮਾਂ 'ਤੇ ਰੁਕਣ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਹੈ। ਆਮ ਉਤਪਾਦ ਜੋ ਅਸੀਂ ਬਲਕ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਤਕਨੀਕ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਹਾਂ:

 

- ਛੋਟੇ ਕੰਟੀਲੀਵਰ

 

- ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰਾਂ ਦੀ ਅਲਾਈਨਮੈਂਟ ਅਤੇ ਫਿਕਸੇਸ਼ਨ ਲਈ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਿੱਚ V-ਗਰੋਵ।

 

ਸਰਫੇਸ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ: ਬਦਕਿਸਮਤੀ ਨਾਲ ਬਲਕ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਤੱਕ ਸੀਮਤ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਸਮੱਗਰੀ ਗਿੱਲੇ ਐਚੈਂਟਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਦਰਾਂ 'ਤੇ ਮਸ਼ੀਨ ਨਹੀਂ ਕਰੇਗੀ। ਇਸਲਈ ਸਤਹ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਬਲਕ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਦੇ ਵਿਕਲਪ ਵਜੋਂ ਖੜ੍ਹੀ ਹੈ। ਇੱਕ ਸਪੇਸਰ ਜਾਂ ਕੁਰਬਾਨੀ ਵਾਲੀ ਪਰਤ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਫਾਸਫੋਸਿਲੀਕੇਟ ਗਲਾਸ ਨੂੰ ਇੱਕ ਸਿਲੀਕਾਨ ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਤੇ CVD ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਜਮ੍ਹਾ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਪੋਲੀਸਿਲਿਕਨ, ਧਾਤ, ਧਾਤ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਣ, ਡਾਈਲੈਕਟ੍ਰਿਕਸ ਦੀਆਂ ਢਾਂਚਾਗਤ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮ ਪਰਤਾਂ ਸਪੇਸਰ ਪਰਤ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਸੁੱਕੀ ਐਚਿੰਗ ਤਕਨੀਕਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਢਾਂਚਾਗਤ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਦੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੈਟਰਨ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਕੁਰਬਾਨੀ ਵਾਲੀ ਪਰਤ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣ ਲਈ ਗਿੱਲੀ ਐਚਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਕੈਂਟੀਲੀਵਰਸ ਵਰਗੇ ਫਰੀ-ਸਟੈਂਡਿੰਗ ਢਾਂਚੇ ਬਣਦੇ ਹਨ। ਕੁਝ ਡਿਜ਼ਾਈਨਾਂ ਨੂੰ ਉਤਪਾਦਾਂ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਲਈ ਬਲਕ ਅਤੇ ਸਤਹ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਤਕਨੀਕਾਂ ਦੇ ਸੁਮੇਲ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵੀ ਸੰਭਵ ਹੈ। ਉਪਰੋਕਤ ਦੋ ਤਕਨੀਕਾਂ ਦੇ ਸੁਮੇਲ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਲਈ ਢੁਕਵੇਂ ਖਾਸ ਉਤਪਾਦ:

 

- ਸਬਮਿਲੀਮੈਟ੍ਰਿਕ ਆਕਾਰ ਦੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਲੈਂਪਸ (0.1 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਆਕਾਰ ਦੇ ਕ੍ਰਮ ਵਿੱਚ)

 

- ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਸੈਂਸਰ

 

- ਮਾਈਕ੍ਰੋਪੰਪਸ

 

- ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੋਟਰਸ

 

- ਐਕਟੁਏਟਰ

 

- ਮਾਈਕ੍ਰੋ-ਤਰਲ-ਪ੍ਰਵਾਹ ਯੰਤਰ

 

ਕਈ ਵਾਰ, ਉੱਚ ਲੰਬਕਾਰੀ ਢਾਂਚਿਆਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਵੱਡੇ ਸਮਤਲ ਬਣਤਰਾਂ 'ਤੇ ਖਿਤਿਜੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਫਿਰ ਪ੍ਰੋਬਸ ਦੇ ਨਾਲ ਸੈਂਟਰਿਫਿਊਜਿੰਗ ਜਾਂ ਮਾਈਕ੍ਰੋ ਅਸੈਂਬਲੀ ਵਰਗੀਆਂ ਤਕਨੀਕਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਢਾਂਚੇ ਨੂੰ ਇੱਕ ਸਿੱਧੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਘੁੰਮਾਇਆ ਜਾਂ ਫੋਲਡ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਫਿਰ ਵੀ ਸਿਲੀਕਾਨ ਫਿਊਜ਼ਨ ਬੰਧਨ ਅਤੇ ਡੂੰਘੀ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਆਇਨ ਐਚਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਉੱਚੀਆਂ ਬਣਤਰਾਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀਆਂ ਜਾ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ। ਡੀਪ ਰਿਐਕਟਿਵ ਆਇਨ ਐਚਿੰਗ (DRIE) ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਦੋ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵੇਫਰਾਂ 'ਤੇ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਫਿਰ ਇਕਸਾਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਬਹੁਤ ਉੱਚੇ ਢਾਂਚੇ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਲਈ ਫਿਊਜ਼ਨ ਬਾਂਡ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਕਿ ਅਸੰਭਵ ਹੋ ਜਾਵੇਗਾ।

 

 

 

LIGA ਮਾਈਕਰੋਮੈਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ: LIGA ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਐਕਸ-ਰੇ ਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ, ਮੋਲਡਿੰਗ ਨੂੰ ਜੋੜਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਕਦਮਾਂ ਨੂੰ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰਦੀ ਹੈ:

 

 

 

1. ਕੁਝ ਸੈਂਕੜੇ ਮਾਈਕਰੋਨ ਮੋਟੀ ਪੌਲੀਮੇਥਾਈਲਮੇਟੈਕਰਾਈਲੇਟ (PMMA) ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪਰਤ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਤੇ ਜਮ੍ਹਾ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

 

2. ਪੀ.ਐੱਮ.ਐੱਮ.ਏ. ਨੂੰ ਕੋਲੀਮੇਟਿਡ ਐਕਸ-ਰੇ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਵਿਕਸਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

 

3. ਧਾਤ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਪੋਜ਼ਿਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

 

4. PMMA ਨੂੰ ਲਾਹ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਫ੍ਰੀਸਟੈਂਡਿੰਗ ਮੈਟਲ ਬਣਤਰ ਬਾਕੀ ਹੈ।

 

5. ਅਸੀਂ ਬਾਕੀ ਦੀ ਧਾਤ ਦੀ ਬਣਤਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਉੱਲੀ ਵਜੋਂ ਵਰਤਦੇ ਹਾਂ ਅਤੇ ਪਲਾਸਟਿਕ ਦੀ ਇੰਜੈਕਸ਼ਨ ਮੋਲਡਿੰਗ ਕਰਦੇ ਹਾਂ।

 

 

 

ਜੇਕਰ ਤੁਸੀਂ ਉੱਪਰ ਦਿੱਤੇ ਮੂਲ ਪੰਜ ਪੜਾਵਾਂ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕਰਦੇ ਹੋ, ਤਾਂ LIGA ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ / ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਤਕਨੀਕਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਅਸੀਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਾਂ:

 

 

 

- ਫ੍ਰੀਸਟੈਂਡਿੰਗ ਮੈਟਲ ਬਣਤਰ

 

- ਇੰਜੈਕਸ਼ਨ ਮੋਲਡ ਪਲਾਸਟਿਕ ਬਣਤਰ

 

- ਇੱਕ ਖਾਲੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਇੰਜੈਕਸ਼ਨ ਮੋਲਡ ਢਾਂਚੇ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਅਸੀਂ ਕਾਸਟ ਮੈਟਲ ਪਾਰਟਸ ਜਾਂ ਸਲਿਪ-ਕਾਸਟ ਵਸਰਾਵਿਕ ਹਿੱਸਿਆਂ ਵਿੱਚ ਨਿਵੇਸ਼ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਾਂ।

 

 

 

LIGA ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ/ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਸਮਾਂ ਲੈਣ ਵਾਲੀਆਂ ਅਤੇ ਮਹਿੰਗੀਆਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਹਾਲਾਂਕਿ LIGA ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਇਹ ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਮੋਲਡ ਤਿਆਰ ਕਰਦੀ ਹੈ ਜੋ ਕਿ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਫਾਇਦਿਆਂ ਨਾਲ ਲੋੜੀਂਦੇ ਢਾਂਚੇ ਦੀ ਨਕਲ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ। LIGA ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ ਦੁਰਲੱਭ-ਧਰਤੀ ਪਾਊਡਰਾਂ ਤੋਂ ਬਹੁਤ ਮਜ਼ਬੂਤ ਲਘੂ ਮੈਗਨੇਟ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਦੁਰਲੱਭ-ਧਰਤੀ ਦੇ ਪਾਊਡਰਾਂ ਨੂੰ ਇੱਕ ਇਪੌਕਸੀ ਬਾਈਂਡਰ ਨਾਲ ਮਿਲਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ PMMA ਮੋਲਡ ਵਿੱਚ ਦਬਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਉੱਚ ਦਬਾਅ ਹੇਠ ਠੀਕ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਮਜ਼ਬੂਤ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰਾਂ ਦੇ ਅਧੀਨ ਚੁੰਬਕੀਕਰਨ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਅੰਤ ਵਿੱਚ PMMA ਛੋਟੇ ਮਜ਼ਬੂਤ ਦੁਰਲੱਭ-ਧਰਤੀ ਚੁੰਬਕ ਨੂੰ ਛੱਡ ਕੇ ਘੁਲ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਅਜੂਬਿਆਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ। ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ / ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ। ਅਸੀਂ ਵੇਫਰ-ਸਕੇਲ ਡਿਫਿਊਜ਼ਨ ਬੰਧਨ ਦੁਆਰਾ ਬਹੁ-ਪੱਧਰੀ MEMS ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ/ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਤਕਨੀਕਾਂ ਨੂੰ ਵਿਕਸਿਤ ਕਰਨ ਦੇ ਵੀ ਸਮਰੱਥ ਹਾਂ। ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਅਸੀਂ ਇੱਕ ਬੈਚ ਡਿਫਿਊਜ਼ਨ ਬੰਧਨ ਅਤੇ ਰੀਲੀਜ਼ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, MEMS ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਅੰਦਰ ਓਵਰਹੈਂਗਿੰਗ ਜਿਓਮੈਟਰੀ ਲੈ ਸਕਦੇ ਹਾਂ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ ਅਸੀਂ ਦੋ PMMA ਪੈਟਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਫਾਰਮਡ ਪਰਤਾਂ ਤਿਆਰ ਕਰਦੇ ਹਾਂ ਜੋ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਜਾਰੀ ਕੀਤੇ ਗਏ PMMA ਨਾਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਅੱਗੇ, ਵੇਫਰਾਂ ਨੂੰ ਗਾਈਡ ਪਿੰਨ ਨਾਲ ਆਹਮੋ-ਸਾਹਮਣੇ ਇਕਸਾਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਗਰਮ ਪ੍ਰੈਸ ਵਿੱਚ ਇਕੱਠੇ ਫਿੱਟ ਦਬਾਓ। ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਉੱਤੇ ਬਲੀ ਦੀ ਪਰਤ ਨੱਕੋਸ਼ੀ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਜਿਸ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਇੱਕ ਪਰਤ ਦੂਜੀ ਨਾਲ ਜੁੜ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਵੱਖ-ਵੱਖ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਮਲਟੀਲੇਅਰ ਬਣਤਰਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਹੋਰ ਗੈਰ-LIGA ਆਧਾਰਿਤ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਤਕਨੀਕਾਂ ਵੀ ਸਾਡੇ ਲਈ ਉਪਲਬਧ ਹਨ।

 

 

 

ਸੋਲਿਡ ਫ੍ਰੀਫਾਰਮ ਮਾਈਕ੍ਰੋਫੈਬਰੀਕੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ: ਐਡੀਟਿਵ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਤੇਜ਼ ਪ੍ਰੋਟੋਟਾਈਪਿੰਗ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਗੁੰਝਲਦਾਰ 3D ਢਾਂਚਿਆਂ ਨੂੰ ਇਸ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿੰਗ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਕੋਈ ਵੀ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣਾ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ। ਮਾਈਕਰੋਸਟੀਰੀਓਲੀਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਰਲ ਥਰਮੋਸੈਟਿੰਗ ਪੋਲੀਮਰ, ਫੋਟੋਇਨੀਸ਼ੀਏਟਰ ਅਤੇ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਫੋਕਸਡ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੀ ਹੈ ਜਿਸਦਾ ਵਿਆਸ 1 ਮਾਈਕਰੋਨ ਜਿੰਨਾ ਛੋਟਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਲਗਭਗ 10 ਮਾਈਕਰੋਨ ਦੀ ਪਰਤ ਮੋਟਾਈ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ ਇਹ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਤਕਨੀਕ ਗੈਰ-ਸੰਚਾਲਕ ਪੌਲੀਮਰ ਢਾਂਚੇ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਤੱਕ ਸੀਮਿਤ ਹੈ। ਇੱਕ ਹੋਰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ ਵਿਧੀ, ਅਰਥਾਤ "ਤਤਕਾਲ ਮਾਸਕਿੰਗ" ਜਾਂ "ਇਲੈਕਟਰੋਕੈਮੀਕਲ ਫੈਬਰੀਕੇਸ਼ਨ" ਜਾਂ EFAB ਵਜੋਂ ਵੀ ਜਾਣੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਵਿੱਚ ਫੋਟੋਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਇੱਕ ਇਲਾਸਟੋਮੇਰਿਕ ਮਾਸਕ ਦਾ ਉਤਪਾਦਨ ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਫਿਰ ਮਾਸਕ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ ਬਾਥ ਵਿੱਚ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਦਬਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਇਲਾਸਟੋਮਰ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਅਨੁਕੂਲ ਹੋਵੇ ਅਤੇ ਸੰਪਰਕ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਪਲੇਟਿੰਗ ਘੋਲ ਨੂੰ ਬਾਹਰ ਕੱਢਦਾ ਹੈ। ਜਿਹੜੇ ਖੇਤਰ ਮਾਸਕ ਨਹੀਂ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਮਾਸਕ ਦੇ ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਵਜੋਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਪੋਜ਼ਿਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਕੁਰਬਾਨੀ ਭਰਨ ਵਾਲੇ ਫਿਲਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਗੁੰਝਲਦਾਰ 3D ਆਕਾਰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਫੈਬਰੀਕੇਟ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਇਹ "ਤਤਕਾਲ ਮਾਸਕਿੰਗ" ਮਾਈਕ੍ਰੋਨਿਊਫੈਕਚਰਿੰਗ/ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੈਚਿਨਿੰਗ ਵਿਧੀ ਓਵਰਹੈਂਗ, ਆਰਚਸ…ਆਦਿ ਪੈਦਾ ਕਰਨਾ ਵੀ ਸੰਭਵ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।